Ikeda Lab.

Publications

  • 戴 志堅, 丸井 智敬, and 浅田 邦博, (in Japanese) "多段ゲートのタイミング最適割付方法," 電子情報通信学会秋季全国大会, C-106,pp.C-2-87, 1988,
  • 趙 慶録, 山下 雅樹, and 浅田 邦博, (in Japanese) "MOS複合ゲートによる非同期式順序回路の最適状態割当て," 電子情報通信学会秋季全国大会, A-81, 1988,
  • 曽根 裕, 鈴木 真一, and 浅田 邦博, (in Japanese) "ランダム配置セルの3次元配線手法," 電子情報通信学会秋季全国大会, A-84,pp.A-1-85, 1988,
  • K. Asada and J. Mavor, "A MOS Leaf-Cell Generation System from Booleam Expressims," Proceeding of the IEEE 1987 Custom Integrated Circuit Conference, pp.25-28, 1987,
  • 浅田 邦博 and Jメイバー, (in Japanese) "論理LSI用モジュール回路・レイアウトの自動合成," 電子情報通信学会研究会, VLD87-95,pp.33-37, 1987,
  • 金 輔祐, 三木 浩史, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "正孔注入によるSiO2評価の問題点," 1987年(昭和62年)秋季第48回応用物理学会学術講演会, 19pL-11/Ⅱ, 1987,
  • 戴 志堅 and 浅田 邦博, (in Japanese) "MOS回路のロジックパスに基づくトランジスタサイジング," 昭和62年電子情報通信学会半導体・材料部門全国大会, No.100, 1987,
  • 戴 志堅 and 浅田 邦博, (in Japanese) "教育用会話型LSIレイアウト設計システムの開発," 東京大学工学部紀要(A), 25巻,34-35, 1987,
  • 戴 志堅, 杉田 夏樹, 梶田 公司, and 浅田 邦博, (in Japanese) "会話型レイアウト設計システム用任意精度回路シミュレータの開発," 昭和62年電子情報通信学会創立70執念記念総合全国大会講演論文集, No.323, 1987,
  • 谷本 智, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "低電圧ゲート酸化膜電子注入現象に関するフォノン吸収モデルの実験的検証," 1987年(昭和62年)春期第34回応用物理学関係連合講演会, 29p-O-2, 1987,
  • 梶田 公司, 白畑 厚志, 高橋 徹, and 浅田 邦博, (in Japanese) "ライブラリを用いないカスタムLSI設計法," 昭和62年電子情報通信学会創立70周年記念総合全国大会講演論文集, No.338, 1987,
  • 李 文豪, クライソン・トロンナムチャイ, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "DRAM用サブミクロンMOSFETの設計限界," 電子情報通信学会集積回路研究会, ICD-87, 1987,
  • 浅田 邦博, (in Japanese) "パソコンを用いた集積回路教育の実施例(Ⅰ)," 昭和62年電気学会全国講演論文集, S.6-4, 1987,
  • 浅田 邦博, (in Japanese) "カスタム集積回路コンファレンス(CICC)から," 第38回設計自動化研究会, 1987,
  • 浅田 邦博, (in Japanese) "画像用LSIの設計技術," 昭和62年テレビジョン学会全国大会, S3-5,pp.477-480, 1987,
  • 野沢 成禎, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "Si薄膜の評価技術(2)," 東京大学工学部総合試験所年報, 46巻,pp.83-87, 1987,
  • K. Asada and J. Mavor, "Area Optimized MOS Circuit Generation Using the Circuit Synthesis Program MOSYN-2," 12th European Solid-State Circuit Conference, Delft,Sept.16-18,pp.21-24, Sep. 1986,
  • K. Throngnumchai, K. Asada, and T. Sugano, "Modeling of 0.1 μm MOSFET on SOI Structure Using Monte Carlo Simulation Technique," IEEE Transaction Electron Devices, Vol.ED-33,No.7,pp.1005-1011, Jul. 1986,
  • E. M. Murray, T. Sugano, and K. Asada, "The Characterization of the Variability of Silicon Wafers by Leakage Current Measurements," Japanese Journal of Applied Physics, Vol.25,No.2,pp.L99-L101, Feb. 1986,
  • クライソン・トロンアンムチャイ, 永井 亮, 星野 洋, 浅田 邦博, and 菅野 卓雄, (in Japanese) "埋め込みP+型パンチスルーMOSデバイスの特性," 1986年春期第33回応用物理学関係連合講演会, 4p-Q-15, 1986,